薩科微（Slkor）推出的 PRTR5V0U2X 超低電容 ESD 二極管陣列，以 0.6 pF 典型線間電容、15.5 V 鉗位、5 V 工作窗口與 1 μA 漏電流，為 5 V 系統(tǒng)提供幾乎“隱形”的靜電與瞬態(tài)防護。

薩科微Slkor靜電保護二極管PRTR5V0U2X產(chǎn)品圖

它的首要使命，是在 ESD、電纜放電 (CDE) 或電快速瞬變 (EFT) 抵達敏感引腳前，把能量瞬間導(dǎo)入地平面，充當(dāng)高速信號與外部浪涌之間的“隱形盾牌”。傳統(tǒng) TVS 為了提升耐量往往抬高電容，結(jié)果拖慢邊沿；PRTR5V0U2X 通過硅雪崩工藝把電容與鉗位同時壓低，成為數(shù)字電視、機頂盒、筆記本與移動計算設(shè)備中的“靜默守護者”。

薩科微Slkor靜電保護二極管PRTR5V0U2X規(guī)格書

薩科微Slkor靜電保護二極管PRTR5V0U2X相關(guān)參數(shù)

精準保護窗口
? VRWM：5 V——與 USB-2.0、MDDI 信號擺幅完美重合，日常不會誤觸發(fā)
? VBR min：6 V——高于[敏感詞]工作電平 1 V，留出安全余量又不浪費鉗位空間
這一 5 V?6 V 的緊湊區(qū)間，確保數(shù)據(jù)線在高速切換時不被拉低，也能在浪涌來臨時及時導(dǎo)通。

低鉗位、低應(yīng)力
官方數(shù)據(jù)顯示，在 1 A、8/20 μs 脈沖下 VC 僅 15.5 V，比常見 5 V I/O 耐壓上限低一截，可將瞬態(tài)應(yīng)力壓縮到芯片安全區(qū)以內(nèi)；若浪涌升至 5 A，鉗位抬至 25 V，仍遠低于多數(shù) CMOS 端口的[敏感詞]額定值。

0.6 pF 線間電容
實測 CJ(line-line)=0.6 pF（typ），CJ(line-GND)=1.2 pF（max），在 1 MHz、0 V 偏置下測得。如此低的電容讓 3 GHz 以內(nèi)[敏感詞]損耗保持在可忽略范圍，確保 USB-HS 眼圖張得足夠開；對 480 Mbps 信號更是游刃有余。

1 μA 漏電流
25 °C、5 V 反偏下 IR 僅 1 μA（max），相比毫安級負載可忽略，為電池供電的便攜設(shè)備延長待機時間。器件通過 UL 94V-0 級塑封，-55 °C~+150 °C 工作溫區(qū)，足以應(yīng)付車規(guī)或工業(yè)級環(huán)境。

SOT-143 微型封裝
2.9 mm × 1.3 mm 的 4 引腳封裝，比傳統(tǒng) SOT-23 省一半面積；260 °C/10 s 高溫回流兼容，7 英寸卷帶每盤 3000 顆，方便高速貼片。引腳采用霧錫鍍層，符合 RoHS 與 MSL 1 要求。

典型應(yīng)用舞臺
? 數(shù)字電視：USB 升級端口、HDMI 邊帶信號
? 機頂盒：USB 2.0 OTG、1394 火線
? 筆記本電腦：USB-A/C 口、MDDI 攝像頭排線
? 手持終端：鍵盤背光燈控制線、SIM 卡座數(shù)據(jù)線
? 車載娛樂：IVI USB Hub、攝像頭鏈路

布局與實戰(zhàn)建議

將器件放在距連接器 ≤ 5 mm 處，走線越短越能降低寄生電感。

差分線對稱出線，阻抗維持 90 Ω±10 %，下方完整參考層開窗后直接與 TVS GND 焊盤相連，避免“繞路”地線。

若需仿真，可在薩科微官網(wǎng)(www.slkoric.com)下載 S 參數(shù)、IBIS-AMI 及 SPICE 模型，直接導(dǎo)入 ADS、Sigrity 或 HFSS，對通道眼圖、COM、BER 進行全鏈路驗證；FAE 團隊 24 h 內(nèi)響應(yīng)，支持現(xiàn)場 ESD 槍實測與聯(lián)合調(diào)試。

PRTR5V0U2X 以 0.6 pF 線間電容、15.5 V 鉗位、5 V/6 V 精確保護窗與 1 μA 漏電流，為 5 V 高速數(shù)字接口樹立了“無感”ESD 保護的新坐標，讓下一代更輕更薄、更高速也更可靠的電子產(chǎn)品擁有堅實而靜默的防護屏障。

薩科微slkor靜電保護二極管（ESD）

薩科微slkor榮譽資質(zhì)和科研成果

關(guān)于薩科微slkor：

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