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發(fā)布時(shí)間:2025-07-31作者來(lái)源:薩科微瀏覽:822
在智能終端普及與高速數(shù)據(jù)傳輸需求激增的當(dāng)下,電子設(shè)備面臨的靜電放電(ESD)風(fēng)險(xiǎn)日益凸顯。據(jù)行業(yè)數(shù)據(jù)顯示,每年因 ESD 導(dǎo)致的電子設(shè)備故障占比超 20%,尤其在 5G 通信、物聯(lián)網(wǎng)終端等高頻場(chǎng)景中,ESD 防護(hù)已成為保障設(shè)備穩(wěn)定性的核心環(huán)節(jié)。薩科微(Slkor)敏銳捕捉這一需求,推出SLESD5341N ESD 保護(hù)二極管,以緊湊封裝與卓越性能為各類電子設(shè)備構(gòu)建可靠防護(hù)屏障。
薩科微Slkor靜電保護(hù)二極管SLESD5341N產(chǎn)品圖
SLESD5341N 是薩科微專為高可靠性場(chǎng)景設(shè)計(jì)的 ESD 保護(hù)器件,采用先進(jìn)工藝實(shí)現(xiàn)高效靜電防護(hù)。其核心參數(shù)表現(xiàn)亮眼:反向工作電壓(VRWM)達(dá) 5.0V,反向擊穿典型電壓(VBR)為 7.5V,能在保障正常電路運(yùn)行的同時(shí)快速響應(yīng)過(guò)壓沖擊;正向鉗位電壓(VC)僅 10V(1A 脈沖下),可有效限制瞬態(tài)電壓,保護(hù)后端敏感電路。此外,10pF 的結(jié)電容(CJ)與 0.1μA 的反向漏電流(IR),使其在高頻信號(hào)傳輸中兼具低干擾與低功耗優(yōu)勢(shì),完美適配高速數(shù)據(jù)鏈路場(chǎng)景。
薩科微Slkor靜電保護(hù)二極管SLESD5341N規(guī)格書
在防護(hù)性能上,該器件通過(guò) IEC 61000-4-2 標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證,接觸放電可達(dá) ±25kV,空氣放電達(dá) ±30kV,單線路峰值脈沖電流(8/20μs)[敏感詞] 5A,配合 < 1ns 的響應(yīng)時(shí)間,能瞬間壓制靜電干擾。其采用的 DFN1006 封裝(尺寸 1.00×0.60×0.45mm),相比傳統(tǒng) MLV(0402)封裝更節(jié)省空間,且支持無(wú)鉛焊接工藝(260℃峰值溫度),符合 MSL 1 與 ROHS 合規(guī)要求,適配自動(dòng)化量產(chǎn)流程。
薩科微Slkor靜電保護(hù)二極管SLESD5341N相關(guān)參數(shù)
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)集中體現(xiàn)在三大維度:
全場(chǎng)景防護(hù)能力:從消費(fèi)電子到工業(yè)設(shè)備,均能抵御高強(qiáng)度 ESD 沖擊,降低故障風(fēng)險(xiǎn);
高頻兼容性:10pF 低結(jié)電容對(duì)高速信號(hào)傳輸影響極小,適配 10/100/1000Mbps 以太網(wǎng)、DVI 等接口;
能效與集成優(yōu)勢(shì):0.1μA 超低漏電流延長(zhǎng)設(shè)備續(xù)航,DFN1006 封裝助力高密度 PCB 布局,滿足輕薄化設(shè)計(jì)需求。
應(yīng)用領(lǐng)域覆蓋多類電子設(shè)備:串口與并口、筆記本電腦、服務(wù)器、投影電視、手機(jī)及配件、便攜式儀器,尤其在高速以太網(wǎng)與數(shù)字視覺(jué)接口(DVI)中表現(xiàn)突出,為數(shù)據(jù)密集型傳輸提供穩(wěn)定防護(hù)。
薩科微防護(hù)器件產(chǎn)品線負(fù)責(zé)人表示:“SLESD5341N 的設(shè)計(jì)核心是平衡‘高性能防護(hù)’與‘低系統(tǒng)影響’。通過(guò)優(yōu)化封裝與電氣參數(shù),我們讓這款器件既能應(yīng)對(duì)[敏感詞] ESD 環(huán)境,又不影響高頻信號(hào)完整性,這正是對(duì)當(dāng)前電子設(shè)備‘小型化、高速化’趨勢(shì)的精準(zhǔn)回應(yīng)。”
目前,SLESD5341N 已實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn),采用 7 英寸卷帶包裝(每卷 10,000 顆),支持批量采購(gòu)。如需技術(shù)手冊(cè)或樣品,可訪問(wèn)薩科微官網(wǎng)(TVS-肖特基二極管-霍爾元件-可控硅-MOS管 - 深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司)獲取。
薩科微slkor靜電保護(hù)二極管(ESD)
薩科微slkor榮譽(yù)資質(zhì)和科研成果
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